Unterätzen

Beim Ätzen von Strukturen in Silizium oder beim Ätzen von Leiterplatten mit Hilfe von Ätzmasken, insbesondere bei Fotolithografischen Verfahren ist im Allgemeinen angestrebt, dass die geätzte Struktur ein exaktes Abbild der Abdeckmaske ist. Dies wird dann ideal erreicht, wenn der Ätzangriff rein anisotrop und ausschließlich senkrecht zur Substratoberfläche erfolgt. Eine praktisch vollkommen anisotrope Wirkung hat physikalisches oder Ionenätzen. Chemische Nassätzverfahren oder auch chemisches Trockenätzen (Plasmaätzen) wirken jedoch isotrop. Bei der isotropen Ätzung mittels Abdeckmaske wirkt der Ätzangriff vom Ätzgraben aus jedoch nicht nur senkrecht zur Substratoberfläche sondern auch in alle anderen Richtungen, also auch parallel zur Substratoberfläche. Dadurch wird beim isotropen Ätzen auch unterhalb der Ätzmaske geätzt. Diesen Effekt bezeichnet man als Unterätzen.

Der Bergriff "Überätzen" beschreibt einen ganz anderen Vorgang und keinesfalls den Gegensatz von Unterätzen.

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