CVD Anlagen für Ihre Silanisierung
Silanisierungsanlagen und ergänzende Plasmaprozesse direkt vom Hersteller
Anfrage startenDer Prozess Silanisieren (Self-Assembled Monolayers Silan)
Beim Silaniseren handelt es sich um einen Oberflächenbehandlungsprozess mit Silanverbindungen wie z. B. Alkoxy-, Amino-, Epoxy- oder Fluorsilanen. Die Oberflächenmodifikation durch Silanisieren beschreibt den Prozess des Auftragens oder der chemischen Anbindung einer dünnen Schicht aus Silanen auf eine Oberfläche. Silane sind organische Verbindungen, die Silizium enthalten und der Oberfläche einige Vorteile wie z. B. Haftvermittlung zwischen Oberflächen und Beschichtung, Korrosionsbeständigkeit oder auch hydrophobe Eigenschaften verschaffen können. Dieses Verfahren bietet sich daher unter anderem als Vorbehandlung an, wie z.B. für einen weiteren Beschichtungsprozess.
Ihre Vorteile
Sehr intuitive Steuerung
Mit den Anlagen von Diener electronic ist eine einfache Bedienung garantiert, da sie mit bekannten Betriebssystemen wie Windows IOT arbeiten.
Plasma integriert
Mit Plasma zu arbeiten verspricht eine äußerst schonende und dabei effiziente Behandlung, die auch den ökologischen Fußabdruck beachtet und sogar verkleinert.
Flexible Größen
Die Diener electronic Anlagen sind mit ihrem Baukastensystem flexibel in ihrer Konstruktion sowie Konstellation. Fast jede Größe kann realisiert und damit fast jedes Bauteil behandelt werden.
Viele Dosierungsmöglichkeiten
Da jeder Prozess mit seinem verwendeten Silan Typ in den Eigenschaften anders ist und diese einen erheblichen Einfluss auf die Dosierung haben, stellt Diener electronic eine Bandbreite an Dosierungsmöglichkeiten bereit.
Unsere Lösungen Ihre Möglichkeiten
Diener electronic arbeitet mit jahrelanger erprobter Erfahrung an der Entwicklung von Plasmaprozessen und gewann auch in dieser Anwendung an fundierten Kenntnissen. Abgeleitet von den Standard-Prozessen reinigen und aktivieren, entwickelte Diener electronic Silanisierungs-Verfahren, bei denen dünne Silanschichten chemisch an Oberflächen angebunden werden. Neben den CVD-Verfahren bietet diese Technologie Vorteile in verschiedenen Branchen wie z.B. verbesserte Korrosionsbeständigkeit in der Automobilbranche, optimale Haftung in der Medizinbranche oder Schutz und Isolation in der Halbleiter-/ Elektrotechnikbranche.
Haftungsverbesserung von Dünnschichttransistoren
Silan-Kopplungsmittel sind vielseitig einsetzbar in Oberflächenbehandlungen auf verschiedensten Materialien. Wird Kunststoff oder Glas mit Silan beschichtet, wird die Oberfläche modifiziert, so dass sie mit organischen Materialien besser interagiert. Dies verbessert z. B. die Haftung in organischen elektronischen Bauteilen, wie organischen Transistoren. Dadurch kann die Leistungsfähigkeit positiv beeinflusst werden. Organische Dünnschichttransistoren (Organic Thin-Film Transistors, OTFTs) sind elektronische Bauelemente, die aus organischen Halbleitermaterialien bestehen und zur Steuerung von elektrischen Strömen eingesetzt werden. Um die Haftung der organischen Halbleiterschicht auf dem Substrat zu verbessern, wird meist eine Silanisierung eingesetzt. Die Substratoberfläche wird dadurch chemisch modifiziert, dies ermöglicht eine glattere organische Schicht, wodurch die elektronische Leistung des Bauelements verbessert werden kann. Auch die Gasphasenabscheidungen werden genutzt, um hochreine und gleichmäßige Schichten von Materialien zu schaffen, die als elektrische Isolatoren oder Leiter in der Struktur der OTFTs dienen.
Haftungsverringerung von Oberflächen
Aber nicht nur verbesserte Haftung, auch Verringerung der Oberflächenhaftung wie z. B. MEMS mittels Silanbeschichtungen sind realisierbar.
Die mikroskopisch kleinen mechanischen Teile profitieren von einer Oberfläche mit geringer Oberflächenenergie z.B. durch eine Silanbeschichtung, dadurch werden van der Waals-Kräfte, Kapillarität oder elektrostatischen Kräften im Voraus reduziert. So werden mögliche Blockaden oder unerwünschte Haftungen präventiv vermieden.
Wafer mit Plasma reinigen
Wafer sind grundlegende Bauelemente in der Halbleiterindustrie und legen meist die Basis für alle elektronischen Geräte. Die flachen Scheiben aus hochreinem Silizium als Basis können durch Aufbringen verschiedener Strukturen und Materialien unterschiedlich gewünschte elektrische Eigenschaften erzeugen. Damit diese erreicht werden können, muss die Oberfläche feinst gereinigt werden. Da die Wafer sehr zerbrechlich sind, ist eine schonende Reinigung im Plasma empfehlenswert. Mühelos gelingt es dem Plasma in die kristalline Oberflächenstruktur des Wafers vorzudringen und entfernt dabei feinste Verunreinigungen auf atomarer Ebene.
Mit Wasserstoffplasma aktivieren
Die Wasserstoffplasma-Aktivierung ist ein Verfahren, bei dem Plasma verwendet wird, um die Oberflächen von Materialien zu reinigen und zu aktivieren. Diese Technik verbessert die Reaktivität und Haftung der Oberfläche, was in der Halbleiterindustrie, bei der Herstellung von Mikrochips und in vielen anderen Bereichen von Bedeutung ist. Sie bietet eine effiziente und umweltfreundliche Methode, die Oberflächenchemie ohne den Einsatz aggressiver Chemikalien zu verändern.
Das Wasserstoffplasma reagiert mit Oxiden und anderen Verunreinigungen auf der Materialoberfläche und entfernt diese. Somit ist eine Wasserstoffplasma-Behandlung besonders für Siliziummaterialien wie Wafer geeignet, um Oxidschichten zu reduzieren und damit gleichzeitig auch zu reinigen.
Aktivieren mit Wasserdampf
Ähnlich wie bei der Aktivierung mit Wasserstoff, funktioniert die Aktivierung mit gesättigtem Wasserdampf. Im Unterschied zum Wasserstoff, ist dieses Verfahren besonders schonend und sanfter zur Oberfläche. Das ionisierte Wassergas wird auf die Oberfläche geleitet und kann in die mikroskopische Struktur der Oberfläche vordringen und diese von Siliziumoxiden befreien. Dieser Schritt führt zu einer sauberen und reaktionsbereiten Oberfläche. Optimal für darauf folgende Beschichtungsprozesse wie z. B. das CVD-Verfahren.
Silan verdampfen
Das Chemical Vapor Deposition kurz CVD-Verfahren ist eine der bekanntesten Anwendungen des Silanverdampfens. Dabei wird Silan unter Vakuum verdampft und als Gas auf eine Oberfläche aufgetragen, um eine dünne Siliziumschicht zu bilden. Silizium kann dadurch verschiedene Effekte erzielen. Darunter zählen: Veränderung der Halbleitereigenschaften, Isolierung und Schutz zwischen den Schaltkreisen. Die Chemische Dampfabscheidung bietet optimale Voraussetzungen, da es unter anderem ein kontrolliertes Auftragen der Siliziumschicht, Gasphasenepitaxie, ermöglicht und diese besonders homogen und konform auftragen kann.
Die Dosierung der Silanverbindungen ist entscheidend für den Prozess, da sie deren Qualität und Effizienz definiert. Es ist von großer Wichtigkeit die entsprechenden Silantypen richtig zu konzentrieren, die Umgebungseinflüsse wie Temperatur und Feuchtigkeit zu beachten und die Reaktionszeit richtig einzustellen. Dabei hilft die Bedienung über die Software und ermöglicht ein genaues Einstellen der Parameter. Diener electronic steht Ihnen gerne als Beratung zur Verfügung Ihren Prozess optimal einzustellen.
