Grabado bajo máscara

En el grabado de estructuras en silicio o en el grabado de placas de circuito impreso con ayuda de máscaras, sobre todo, en el procedimiento fotolitográfico, el objetivo consiste básicamente en conseguir que la estructura grabada reproduzca con exactitud la máscara cobertora. En el caso ideal, esto se consigue cuando el ataque de grabado resulta puramente anisotrópico y se produce exclusivamente en perpendicular a la superficie del sustrato. Se logra un efecto anisotrópico casi por completo en el grabado físico o en el grabado iónico. En cambio, los procedimientos de grabado químico en húmedo o incluso el grabado químico en seco (grabado con plasma) tienen un efecto isotrópico. En el grabado isotrópico con máscara cobertora, el ataque en la zanja de grabado no se produce en perpendicular a la superficie del sustrato, sino en todas direcciones; por lo tanto, también en paralelo a la superficie del sustrato. Esto provoca que también se produzca grabado isotrópico por debajo de la máscara. Este efecto se denomina grabado bajo máscara. El término "sobregrabado" hace referencia a un procedimiento totalmente diferente, no relacionado con el grabado bajo máscara.

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