Sotto-acidatura

Nel caso di acidatura di strutture in silicio o dell’acidatura di circuiti stampati con l'ausilio di maschere di acidatura, specialmente nei processi fotolitografici, generalmente si auspica che la struttura incisa sia un'immagine esatta della maschera di copertura. Il risultato ideale si ottiene quando il processo di acidatura è puramente anisotropo ed esclusivamente perpendicolare alla superficie del substrato. Un effetto del tutto anisotropo è dato dall'acidatura fisica o ionica. Tuttavia, i processi di acidatura chimica a umido o di acidatura a secco (acidatura al plasma) sono isotropi. Nell’acidatura isotropa una maschera di copertura fa sì che l'effetto a partire dall’avvallamento di acidatura agisca non solo perpendicolarmente alla superficie del substrato, ma anche in tutte le altre direzioni, pertanto anche parallelamente. Nell'acidatura isotropa, quindi, l'acidatura avviene anche sotto la maschera di acidatura. Questo effetto è denominato sotto-acidatura. Il termine "sovraacidatura" descrive un processo completamente diverso e non il contrario della sotto-acidatura.