底切

在 蚀刻  硅 中的结构或者 印刷电路板的蚀刻 借助蚀刻掩膜来进行时，特别是在采用 光刻法 的时候，通常需确保被蚀刻的结构能够精确映射出覆盖掩膜的形状。如果蚀刻腐蚀为纯 各向异性 ，并且蚀刻是完全垂直于基材表面进行的，那么便可完美的实现上述要求。具有几乎完全各向异性作用的是物理蚀刻或 离子蚀刻。化学湿式蚀刻法或者化学 干式蚀刻 （等离子蚀刻）均为各向同性。在借助覆盖掩膜进行 各向同性 蚀刻的时候，蚀刻槽的蚀刻腐蚀不仅垂直于基材表面，而且还涵盖了所有其他方向，即也平行于基材表面。这样，在进行各向同性蚀刻时便也会对蚀刻掩膜下方进行蚀刻。这种效果称为底切。术语“过蚀刻”描述的是一种完全不同的过程，而不是底切的相反过程。