Sputteranlage
Eine für das Sputtern optimierte bzw. eingerichtete Plasmaanlage.
Für das Sputtern wird die Arbeitselektrode mit dem Generator gekoppelt, jedoch über einen Kondensator kapazitiv getrennt. Das Substrat bzw. Target wird auf der Arbeitselektrode angebracht. Vorzugsweise wird die Sputteranlage mit einem HF-Generator mit 13,56 MHz betrieben. Als Prozessgas wird vorzugsweise Argon eingesetzt.
In einer so ausgelegten Anlage kommt es zum Materialabtrag auf dem Substrat bzw. Target durch Ionenätzen.
PVD
Durch Sputtern können auch Substrate durch Physikalische Gasphasenabscheidung (Physikal Vapour Deposition PVD) beschichtet werden.
Auf der Arbeitselektrode lagert ein Target aus dem Material, mit dem beschichtet werden soll.
Atome und Moleküle, die durch Sputtern aus dem Target herausgeschlagen werden, gelangen auf das Substrat und schlagen sich dort nieder.
