Установка ионно-плазменного распыления

ионно-плазменного распыления плазменная установка. Для ионно-плазменного распыления рабочий электрод соединяется с генератором, но развязывается промежуточным конденсатором. Субстрат или мишень размещается на рабочем электроде. Установка ионно-плазменного распыления преимущественно работает с ВЧ-генератором на 13,56 МГц. В качестве технологического газа преимущественно используется аргон. В такой установке происходит съем материала на субстрате или мишени посредством ионного травления.

PVD

Методом ионно-плазменного распыления можно также наносить на субстраты покрытия посредством физического осаждения из газовой фазы (Physikal Vapour Deposition PVD). На рабочем электроде находится мишень из материала, которым должно наноситься покрытие. Атомы и молекулы, выбиваемые из мишени, попадают на субстрат и оседают на нем.