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一种专为 溅射 进行了优化和设置的 等离子设备。溅射时,会将工作电极和 发生器 耦合,但可以通过电容器进行电容分离。基材或 靶材 将被安装在工作电极上。溅射设备首选用高频发生器以频率 13.56 MHz 运行。作为 工艺气体 ,首选使用 氩 。在这种设计的设备中,若要去除基材或靶材上的材料,则可采用 离子蚀刻。
进行溅射之后,还可以通过物理气相沉积 (Physikal Vapour Deposition PVD) 对基材进行涂覆。靶材位于工作电极上,由要用其进行涂覆的材料制成。通过溅射从 靶材 中轰击出来的原子和分子到达基材上,并在该处沉积。
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