Plasmaätzen

Unter Plasmaätzen versteht man anisotropes Ätzen durch chemische Reaktion zur Abtragung von Materialschichten. Ebenfalls gebräuchlich und eindeutiger sind die Bezeichnungen Reaktives Plasmaätzen, Reaktives Trockenätzen, Chemisches Plasmaätzen und die englischen Ausdrücke Reactive Etching, Chemical Dry Etching (CDE).

Beim Plasmaätzen wird die Oberfläche eines Substrats durch chemische Reaktion mit dem Prozessgas abgetragen. Dabei wird insbesondere die hohe Reaktivität der angeregten Atome und Moleküle und insbesondere der Radikale genutzt. Als Prozessgas wird häufig Sauerstoff verwendet. Die Ätzrate ist auf verschiedenen Substraten sehr unterschiedlich ("selektiv"). Bereits oxidierte Oberflächen werden durch Sauerstoffplasma nicht geätzt.

Anwendungen:

Die physikalische Ätzwirkung des Ionenbeschusses (siehe ⇒ IonenätzenRIE) wird nicht genutzt.

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