等离子蚀刻

等离子蚀刻是指 各向异性 蚀刻 通过 化学反应 去除材料涂层。同样常用且明确的名称还包括：反应性等离子蚀刻、反应性干法蚀刻、化学等离子蚀刻，其英语表达方式为 Reactive Etching、Chemical Dry Etching (CDE)。进行等离子蚀刻时，基材表面通过与 工艺气体 的化学反应被去除。期间，特别充分的利用了激发的 原子 和 分子 ，尤其是 自由基 的高反应性。作为工艺气体，通常使用 氧气 。不同基材上的蚀刻速率存在很大的差异（“选择性”）。已氧化的表面是无法通过氧气等离子体进行蚀刻的。应用用途：

• 去除 碳氢化合物 （包括 ⇒ 等离子清洗）
• 蚀刻 PTFE
• 去除材料表面
• 粗糙化并增大表面积
• 去除 光刻胶 （剥除光刻胶）

未利用离子轰击的物理蚀刻效果（参见 ⇒ 离子蚀刻、 RIE）。