Плазменное травление
неизотропное травление под действием химической реакции, ведущей к съему слоев материала. Также используются следующие обозначения: реактивное плазменное травление, реактивное сухое травление, химическое плазменное травление, Reactive Etching, Chemical Dry Etching (CDE). При плазменном травлении слои поверхности субстрата снимаются под действием химической реакции с технологическим газом. Используется, в частности, высокая активность возбужденных атомов и молекул, а также радикалов. В качестве технологического газа широко применяется кислород. Скорости травления сильно варьируются в зависимости от субстрата. Окисленные поверхности не поддаются травлению в кислородной плазме. Применение:
- Съем углеводородов (см. ⇒ Плазменная очистка)
- Травление PTFE
- Съем поверхностей материалов
- Шерохование и увеличение площади поверхностей
- Удаление фоторезистов (ионное распыление фоторезиста)
Физический эффект травления под действием бомбардировки ионами (см. ⇒ Ионное травление, RIE) не используется.