Плазменное травление

неизотропное травление под действием химической реакции, ведущей к съему слоев материала. Также используются следующие обозначения: реактивное плазменное травление, реактивное сухое травление, химическое плазменное травление, Reactive Etching, Chemical Dry Etching (CDE). При плазменном травлении слои поверхности субстрата снимаются под действием химической реакции с технологическим газом. Используется, в частности, высокая активность возбужденных атомов и молекул, а также радикалов. В качестве технологического газа широко применяется кислород. Скорости травления сильно варьируются в зависимости от субстрата. Окисленные поверхности не поддаются травлению в кислородной плазме. Применение:

• Съем углеводородов (см. ⇒ Плазменная очистка)
• Травление PTFE
• Съем поверхностей материалов
• Шерохование и увеличение площади поверхностей
• Удаление фоторезистов (ионное распыление фоторезиста)

Физический эффект травления под действием бомбардировки ионами (см. ⇒ Ионное травление, RIE) не используется.