Плазменное травление

неизотропное травление под действием химической реакции, ведущей к съему слоев материала. Также используются следующие обозначения: реактивное плазменное травление, реактивное сухое травление, химическое плазменное травление, Reactive Etching, Chemical Dry Etching (CDE). При плазменном травлении слои поверхности субстрата снимаются под действием химической реакции с технологическим газом. Используется, в частности, высокая активность возбужденных атомов и молекул, а также радикалов. В качестве технологического газа широко применяется кислород. Скорости травления сильно варьируются в зависимости от субстрата. Окисленные поверхности не поддаются травлению в кислородной плазме. Применение:

Физический эффект травления под действием бомбардировки ионами (см. ⇒ Ионное травлениеRIE) не используется.

вернуться к глоссарию

+49 7458 99931-0

Поговорите с экспертом

info@plasma.com

Напишите нам

Запросить предложение

Вы точно знаете, что ищете