RIE - Reactive Ion Etching
Reaktives Ionenätzen ist eine vielseitig einsetzbare Trockenätztechnik, die nahezu für alle Materialien, die in der Elektronik und Optoelektronik Verwendung finden, einsetzbar ist. Geladene Teilchen des Plasmas treffen auf die Werkstückoberfläche und tragen Schicht für Schicht reproduzierbar und anisotrop ab. Reaktives Ionenätzen wird insbesondere zur anisotropen Strukturierung von Silizium, von organischen und anorganischen Dielektrika, metallischen Barrierematerialien und Polymeren für elektronische und optoelektronische Anwendungen eingesetzt.(SH) Für das Abtragen von Silizium oder siliziumhaltigen Schichten werden in erster Linie fluorbasierende Ätzgase wie CF4 und SF6 eingesetzt. Für das Ätzen von organischen Molekülen oder die Reinigung anorganischer Schichten von organischen Rückständen erfolgt mittels Sauerstoffplasma oder Gasgemischen aus O2 und CF4. Metallische Schichten werden in erster Linie physikalisch geätzt (mechanisches Herausschlagen von Atomen/Molekülen), zum Beispiel mittels Argonplasmen.