Grabado con plasma

Por grabado con plasma, se entiende el grabado anisotrópico por reacción química para extraer capas de material. También resultan habituales las denominaciones siguientes, más precisas: grabado reactivo con plasma, grabado reactivo en seco y grabado químico con plasma, así como las expresiones inglesas Reactive Etching y Chemical Dry Etching (CDE). En el grabado con plasma, se extrae material de la superficie de un sustrato por reacción química con el gas del proceso. Para ello, se aprovecha especialmente la alta reactividad de los átomos y las moléculas en estado excitado; sobre todo, de los radicales. A menudo, se emplea oxígeno como gas del proceso. La tasa de grabado varía considerablemente en diferentes sustratos (es "selectiva"). Las superficies ya oxidadas no se graban con el plasma de oxígeno. Aplicaciones:

No se utiliza el efecto físico de grabado del bombardeo de iones (ver ⇒ Grabado iónicoRIE).

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