Acidatura al plasma
Per acidatura al plasma si intende l'acidatura anisotropa mediante reazione chimica con lo scopo di rimuovere strati di materiale. Sono altrettanto diffusi ed inequivocabili anche i termini acidatura reattiva al plasma, acidatura reattiva a secco, acidatura chimica al plasma e i termini inglesi reactive etching e chemical dry etching (CDE). Nell'acidatura al plasma, la superficie di un substrato viene asportata per reazione chimica con il gas di processo. A tale scopo, si fa uso dell'elevata reattività degli atomi e delle molecole eccitate e in particolare dei radicali. Come gas di processo si utilizza spesso l’ossigeno. Il tasso di acidatura su substrati diversi è molto differenziato ("selettivo"). Le superfici già ossidate non vengono incise dal plasma di ossigeno. Applicazioni:
- asportazione di idrocarburi (vedere anche ⇒ Pulizia al plasma)
- acidatura di PTFE
- asportazione di superfici di materiale
- irruvidimento e allargamento della superficie
- rimozione di strati fotoresistenti (spellatura di fotoresist)
L'effetto fisico di acidatura del bombardamento di ioni (vedere ⇒ Acidatura ionica, RIE) non viene utilizzato.
