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Acidatura al plasma

Per acidatura al plasma si intende l'acidatura anisotropa mediante reazione chimica con lo scopo di rimuovere strati di materiale. Sono altrettanto diffusi ed inequivocabili anche i termini acidatura reattiva al plasma, acidatura reattiva a secco, acidatura chimica al plasma e i termini inglesi reactive etching e chemical dry etching (CDE). Nell'acidatura al plasma, la superficie di un substrato viene asportata per reazione chimica con il gas di processo.  A tale scopo, si fa uso dell'elevata reattività degli atomi e delle molecole eccitate e in particolare dei radicali.  Come gas di processo si utilizza spesso l’ossigeno.  Il tasso di acidatura su substrati diversi è molto differenziato ("selettivo"). Le superfici già ossidate non vengono incise dal plasma di ossigeno. Applicazioni:

L'effetto fisico di acidatura del bombardamento di ioni (vedere ⇒ Acidatura ionicaRIE) non viene utilizzato.

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