RIE - Reactive Ion Etching
La gravure ionique réactive est une technique de gravure à sec polyvalente qui peut être utilisée pour presque tous les matériaux utilisés en électronique et optoélectronique. Les particules chargées du plasma frappent la surface de la pièce à usiner et éliminent couche par couche de manière reproductible et anisotrope. La gravure ionique réactive est utilisée en particulier pour la structuration anisotrope du silicium, des diélectriques organiques et inorganiques, des matériaux barrière métallique et des polymères pour des applications électroniques et optoélectroniques (SH). Pour éliminer du silicium ou des couches contenant du silicium, on utilise principalement des gaz de gravure à base de fluor tels que CF4 et SF6. Pour graver des molécules organiques ou nettoyer des couches inorganiques de résidus organiques, on utilise du plasma d'oxygène ou des mélanges gazeux de O2 et CF4. Les couches métalliques sont principalement gravées physiquement (élimination mécanique des atomes/molécules), par exemple au moyen de plasmas d'argon.
