RIE (grabado iónico reactivo)
El grabado iónico reactivo es una tecnología de grabado en seco muy versátil, que puede aplicarse a prácticamente todos los materiales que se usan en electrónica y optoelectrónica. Las partículas cargadas del plasma impactan contra la superficie de la pieza de trabajo y extraen las capas una a una, de manera reproducible y anisotrópica. El grabado iónico reactivo se emplea sobre todo para la estructuración anisotrópica de silicio, dieléctricos orgánicos e inorgánicos, materiales de barrera metálicos y polímeros para aplicaciones de electrónica y optoelectrónica (SH). Para extraer silicio o capas que contengan silicio, se utilizan principalmente gases de grabado basados en flúor, como CF4 y SF6. Para el grabado de moléculas orgánicas o la limpieza de restos orgánicos en capas inorgánicas, se recurre a plasma de oxígeno o a mezclas de gases a partir de O2 y CF4. Las capas metálicas se graban básicamente por medios físicos (arranque mecánico de átomos/moléculas), por ejemplo, mediante plasmas de argón.
