RIE - Reactive Ion Etching

L'acidatura ionica reattiva è una tecnica versatile di acidatura a secco, utilizzabile per quasi tutti i materiali impiegati nell'elettronica e nell'optoelettronica. Le particelle cariche del plasma colpiscono la superficie del pezzo e rimuovono strato per strato in modo riproducibile e anisotropo . L'acidatura ionica reattiva è utilizzata in particolare per la strutturazione anisotropa del silicio, di dielettrici organici e inorganici, di materiali metallici di barriera e di polimeri per applicazioni elettroniche e optoelettroniche (SH). Per la rimozione di strati di silicio o a contenuto di silicio vengono utilizzati principalmente gas di acidatura a base di fluoro come CF4 e SF6. Per l’acidatura di molecole organiche o la pulizia degli strati inorganici di residui organici si usano plasma di ossigeno o miscele di gas di O2 e CF4. Gli strati metallici vengono incisi soprattutto fisicamente (rilascio meccanico di atomi/molecole), ad esempio mediante plasma di argon.

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