RIE - Reactive Ion Etching（反应性离子蚀刻）

反应性离子蚀刻是一种多用途的干式蚀刻技术， 其几乎适用于所有用于电子和光电子领域的材料。这些 等离子体 的带电离子撞击到工件表面上，并逐层进行可重复性和 各向异性 剥蚀。反应性离子蚀刻特别用于对硅、有机和无机电介质、电子和光电子用途的金属阻隔性材料和 聚合物 进行各向异性结构化。(SH) 去除硅或含硅的涂层时，主要使用的是以氟为基的蚀刻气体如 CF₄ 和 SF₆。若要对有机 分子 进行蚀刻或者对无机涂层上的有机残留物进行清洗，则需通过氧气等离子体或者 O₂ 和 CF₄ 的气体混合物来进行。金属层主要例如通过氩等离子体进行物理蚀刻（原子/分子的机械喷射）。