RIE – Reactive Ion Etching
плазмы ударяются о поверхность детали и слой за слоем неизотропным способом снимают материал. Реактивное ионное травление применяется в первую очередь для неизотропного структурирования кремния, органических и неорганических диэлектриков, металлических барьерных материалов и полимеров для электронных и оптоэлектронных систем. Для съема кремния или содержащих кремний слоев используются в первую очередь основанные на фторе газы, например CF4 и SF6. Травление органических молекул и очистка неорганических слоев от органических веществ осуществляются кислородной плазмой или газовыми смесями из O2 и CF4. Для травления металлических слоев в первую очередь используются физические методы (механическое выбивание атомов/молекул), например с использованием аргоновой плазмы.
