Dotieren

Der Begriff aus der Halbleiterphysik bezeichnet das Einbringen von Fremdatomen in das Kristallgitters eines Halbleiters. Der Anteil der Fremdatome ist dabei minimal klein (0,1 - 100 ppm). Dennoch bestimmt diese Dotierung die elektrischen Eigenschaften des Halbleiters. Zur Dotierung verwendet man Elemente, deren Atome in ihrer Außenschale entweder ein Elektron mehr oder weniger haben als die Atome des Halbleiters selbst. Dadurch gibt es an der Stelle des Fremdatoms im Kristallgitter entweder ein überzähliges Elektron (n-dotiert) oder ein fehlendes Elektron (p-dotiert).

Zur Dotierung von Halbleitern stehen mehrere Technologien zur Verfügung: Diffusion, Elektrophorese, Resublimation oder Beschuss mittels hochenergetischen Teilchenkanonen unter Vakuum (Ionenimplantation).