Lessico della tecnologia delle superfici

Dotare

Il termine, proveniente dalla fisica dei semiconduttori, indica l'immissione di atomi estranei nel reticolo cristallino di un semiconduttore. La proporzione di atomi estranei è minima (0,1 - 100 ppm). Tuttavia, il drogaggio incide sulle proprietà elettriche del semiconduttore. Per il drogaggio si utilizzano elementi i cui atomi, nel loro guscio esterno, hanno un elettrone in più o in meno rispetto agli atomi del semiconduttore. C'è quindi un elettrone in soprannumero (n-doped) o un elettrone mancante (p-doped) al posto dell'atomo estraneo nel reticolo cristallino. Per il drogaggio dei semiconduttori esistono diverse tecnologie ⇒ Impiantazione ionica.

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