Легирование

полупроводника. Доля примесных атомов при этом минимальна (0,1 - 100 ppm). Тем не менее, этим легированием определяются электрические свойства полупроводника. Для легирования используются элементы, атомы которых во внешней оболочке имеют на один электрон больше или меньше, чем атомы самого полупроводника. Таким образом, в месте примесного атома в кристаллической решетке присутствует один излишний (n-тип) или один недостающий (p-тип) электрон. Для легирования полупроводников существует несколько технологий, среди них ⇒ ионная имплантация.