Dopage

Ce terme, provenant de la physique des semi-conducteurs, désigne l'application d'atomes étrangers dans la grille cristalline d'un semi-conducteur. La proportion d'atomes étrangers est pour cela minime (0,1 - 100 ppm) Néanmoins, ce dopage détermine les propriétés électriques du semi-conducteur. Pour le dopage, on utilise des éléments dont les atomes dans leur enveloppe extérieure possèdent soit un électron de plus, soit un électron de moins que les atomes du semi-conducteur même. À l'emplacement de l'atome étranger dans le réseau cristallin, il y a donc soit un électron en plus (dopé n), soit un électron en moins (dopé p). Plusieurs technologies sont disponibles pour le dopage des semi-conducteurs, dont ⇒ l'implantation d'ions.