Dopaje

Este término de la física de semiconductores designa la incorporación de átomos ajenos en la red cristalina de un semiconductor. La proporción de átomos ajenos se mantiene en niveles mínimos (0,1-100 ppm). Pese a ello, este dopaje resulta determinante para las características eléctricas del semiconductor. Para el dopaje, se emplean elementos cuyos átomos llevan, en su capa exterior, un electrón más o menos que los átomos del semiconductor propiamente dicho. Como resultado, en lugar del átomo ajeno, la red cristalina presenta un electrón sobrante (dopado n) o bien un electrón faltante (dopado p). Para el dopaje de semiconductores, se dispone de varias tecnologías; entre ellas, la ⇒ Implantación de iones.