Ionenimplantation

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen in ein Grundmaterial zur Änderung von Materialeigenschaften. Hauptsächlich wird die Ionenimplantation zum Dotieren von Halbleitern mit Fremdatomen eingesetzt. Diese Fremdatome bezeichnet man als Dotanten, die wiederum in Donatoren, die im Kristallgitter Elektronen abgeben und Akzeptoren, die Elektronen aufnehmen, unterschieden werden.
Bei der Ionenimplantation werden Fremdatome ionisiert, im elektrischen Feld beschleunigt und in das Substrat, in der Regel Silizium, "eingeschossen". Typische Dotanten sind: Bor, Phosphor, Arsen, Indium, Germanium, Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff. Diese Fremdatomen nehmen Gitterplätze im Kristall anstelle von Atomen des Grundmaterials ein.

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