掺杂

来自半导体物理学的术语，指的是将外来原子引入 半导体的晶格中。其中，外来原子所占的比例最小 (0.1 - 100 ppm)。但是，这种掺杂决定了半导体的电性能。进行掺杂时，可使用原子壳层中 原子 比半导体的原子少一个或者多一个 电子 的元素。由此，在晶格中外来原子的位置处则会存在一个多余的电子（n 型掺杂）或者一个缺少的电子（p 型掺杂）。对半导体进行掺杂时，还提供了多种技术，包括 ⇒ 离子注入。