掺杂

来自半导体物理学的术语,指的是将外来原子引入 半导体的晶格中。其中,外来原子所占的比例最小 (0.1 - 100 ppm)。但是,这种掺杂决定了半导体的电性能。进行掺杂时,可使用原子壳层中 原子 比半导体的原子少一个或者多一个 电子 的元素。由此,在晶格中外来原子的位置处则会存在一个多余的电子(n 型掺杂)或者一个缺少的电子(p 型掺杂)。对半导体进行掺杂时,还提供了多种技术,包括 ⇒ 离子注入

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