CVD

Chemical Vapour Deposition ist ein Beschichtungsverfahren, bei dem durch chemische Reaktion auf einer Oberfläche aus gasförmigen Verbindungen feste Substanzen abgeschieden werden. Um die chemische Reaktion auszulösen, muss das Substrat auf hohe Temperatur erhitzt werden. Nicht jedes Substrat ist hierfür ausreichend thermisch beständig. Die Erwärmung des Substrats kann reduziert oder gar vermieden werden, indem die chemische Reaktion durch ein Plasma oberhalb der Substratoberfläche angeregt wird. Man bezeichnet diese Verfahren dann als PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) oder auch PACVD (Plasma Activated CVD). Bedeutende Anwendungen von Plasma-CVD-Prozessen sind amorphe Kohlenstoff- und Silicium-Schichten sowie Titannnitrid-, Titancarbid- oder Siliciumnitrid-Schichten.