PACVD (PECVD)

Beim chemischen Dampfabscheideverfahren (Chemical Vapour Deposition CVD) bildet sich eine feste Schicht auf einer Substratoberfläche dadurch, dass gasförmige Moleküle durch die Hitze des Substrats reagieren. Beim Plasma Assisted CVD (PACVD) werden durch die UV-Strahlung aus den Prozessgas-Molekülen Radikale erzeugt, die auf der Oberfläche auch ohne Temperatureinwirkung reagieren.
Das PACVD Verfahren ist deshalb im Gegensatz zu CVD auch auf wenig wärmebeständigen Substraten einsetzbar. Statt PACVD wird auch der Begriff PECVD (Plasma Enhanced CVD) verwendet.