CDE (Chemical Dry Etching)
Chemisches Trockenätzen. CDE ist eine gebräuchliche Abkürzung für den chemischen Plasmaätzprozess, der auch als "chemisches Ätzen" oder kurz "Plasmaätzen" bezeichnet wird.
Trockenchemisches Ätzen erfolgt im Plasma durch Reaktion Aktiver Spezies (angeregte Atome, Radikale, Ionen) mit den Substratmolekülen. Das Prozessgas muss auf das Substrat abgestimmt sein (selektiver Ätzvorgang), der Ätzvorgang ist ungerichtet (isotrop).
Erklärung zur Skizze:
Dies ist der Verlauf der Ätzfront mit der Zeit. Solche Ätzgräben entstehen nur bei dem chemischen Plasmaätzen.
"Ausgangspunkt" der isotropen Ätzung
Resultierende Ätzfront
Bauteil
Ätzgraben
Ätzmaske
Isotroper Ätzangriff
Erklärung zur Skizze:
Hier wird eine chemische Ätzung vereinfacht dargestellt. Der Ätzangriff erfolgt durch die freien Bereiche der Ätzmaske.
Durch die Abtragung des Bauteils entsteht eine Ätzfront. Diese bewegt sich nicht nur senkrecht nach unten in das Bauteil hinein, sondern mit
derselben Ätzrate auch unterhalb der Maske.
