CDE (Chemical Dry Etching)

Grabado químico en seco. CDE es una abreviatura que se emplea comúnmente para designar el proceso de grabado químico con plasma, que también se denomina "grabado químico" o simplemente "grabado con plasma". El grabado químico en seco se efectúa en el plasma mediante la reacción de especies activas (átomos, radicales e iones excitados) con las moléculas del sustrato. El gas del proceso debe concordar con el sustrato (proceso de grabado selectivo); el grabado carece de dirección (es isotrópico).