CDE Chemical Dry Etching

Gravure chimique sèche. CDE est une abréviation couramment utilisée pour le procédé de gravure chimique au plasma, également connu sous le nom de « gravure chimique » ou « gravure plasma ».La gravure chimique sèche s'effectue dans le plasma par réaction d'espèces actives ( atomes excités, radicaux, ions) avec les molécules du substrat. Le gaz de traitement doit être adapté au substrat (procédé de gravure sélective), le procédé de gravure n'est pas dirigé (isotrope).

retour au glossaire

+49 7458 99931-0

Demandez l'avis d'experts au téléphone

info@plasma.com

Faites-nous part de ce qui vous préoccupe

Demander une offre

Vous savez exactement ce que vous voulez