CDE Chemical Dry Etching

Gravure chimique sèche. CDE est une abréviation couramment utilisée pour le procédé de gravure chimique au plasma, également connu sous le nom de « gravure chimique » ou « gravure plasma ».La gravure chimique sèche s'effectue dans le plasma par réaction d'espèces actives ( atomes excités, radicaux, ions) avec les molécules du substrat. Le gaz de traitement doit être adapté au substrat (procédé de gravure sélective), le procédé de gravure n'est pas dirigé (isotrope).