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Deep Reactive Ion Etching
Anisotropes Reaktives Ionenätzen in Silizium mit Ätztiefen bis 100µm. Ein extrem hohes Aspektverhältnis wird erreicht durch Passivierung der Grabenwände. Ein Verfahren des plasmaunterstützten Ätzens.
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Deep Reactive Ion Etching
Anisotropes Reaktives Ionenätzen in Silizium mit Ätztiefen bis 100µm. Ein extrem hohes Aspektverhältnis wird erreicht durch Passivierung der Grabenwände. Ein Verfahren des plasmaunterstützten Ätzens.
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