DRIE
Deep Reactive Ion Etching. Grabado iónico reactivo anisotrópico en silicio, con profundidades de grabado de hasta 100 µm. Se consigue una relación de aspecto extremadamente elevada mediante la pasivación de las paredes de zanja.
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Deep Reactive Ion Etching. Grabado iónico reactivo anisotrópico en silicio, con profundidades de grabado de hasta 100 µm. Se consigue una relación de aspecto extremadamente elevada mediante la pasivación de las paredes de zanja.
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