DRIE

Deep Reactive Ion Etching.Gravure anisotrope par ions réactifs dans le silicium avec des profondeurs de gravure allant jusqu'à 100 µm La passivation des parois de la tranchée permet d'obtenir un rapport d'aspect extrêmement élevé.

retour au glossaire

+49 7458 99931-0

Demandez l'avis d'experts au téléphone

info@plasma.com

Faites-nous part de ce qui vous préoccupe

Demander une offre

Vous savez exactement ce que vous voulez