DRIE
Deep Reactive Ion Etching. Acidatura ionica anisotropa e reattiva in "chip di silicio", con profondità di acidatura fino a 100µm. Un rapporto dimensionale estremamente elevato si ottiene con la passivazione delle pareti della cavità.
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Deep Reactive Ion Etching. Acidatura ionica anisotropa e reattiva in "chip di silicio", con profondità di acidatura fino a 100µm. Un rapporto dimensionale estremamente elevato si ottiene con la passivazione delle pareti della cavità.
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