蚀刻掩模
如果只需对基材的局部进行蚀刻，则必须通过 掩膜 盖住剩余区域。掩膜本身不应受到蚀刻工艺流程的腐蚀。 对于结构 蚀刻 ，首选 各向异性 的蚀刻方法（⇒ 离子蚀刻、 ⇒ RIE），其能够蚀刻出清晰的蚀刻掩膜轮廓。 各向同性 蚀刻方法（湿法化学蚀刻、 等离子蚀刻）会导致蚀刻掩膜形成 底切 ，而且不允许具有较高的 宽高比。非常重要的是蚀刻导体电路于 印刷电路板 使用 光刻法。在这种情况下，蚀刻掩膜是一种光刻胶掩模。 将导体电路安装到 印刷电路板 上通常采用的是 光刻法：
- 首先，给整个印刷电路板涂覆一层导电层（金属化）。
- 在该层上同样涂覆一层全表面的光刻胶层，在此可以使用 负性光刻胶或者 正性光刻胶 。在显影过程中，曝光位置的正性光刻胶将被去除，而负性光刻胶则会留在其曝光位置。
- 此 光刻胶 此时将以所需 导体电路 的结构被曝光。如果使用的是正性光刻胶，则会曝光要蚀刻掉金属涂层的位置，如果使用的是负性光刻胶，则会曝光导体电路应处的位置。
- 显影过程结束后，光刻胶层将会留在后来的导体电路的表面上。
- 此时，对印刷电路板进行蚀刻。光刻胶未受到腐蚀或者仅受到了些许腐蚀，以至于下方的金属涂层仍完好无损。相反，去除 光刻胶后露出的金属表面却被蚀刻掉了。
这种蚀刻可以采用湿式化学法或者通过 等离子蚀刻 进行。采用湿式化学工艺方法时的蚀刻速率更高。但是，湿式化学蚀刻具有 各向同性，从而也会对光刻胶保护层进行 底切 ，也就是说，会在光刻胶涂层下方从侧面对后来的导体电路的金属层造成腐蚀。通过适当调整蚀刻参数，等离子蚀刻既可为各向同性，亦可为 各向异性 （参见 ⇒ 离子蚀刻 IE、 ⇒ 反应性离子蚀刻 RIE），从而按照光刻胶掩膜的清晰轮廓真正蚀刻掉金属涂层。 - 对导体电路进行蚀刻后，还可以通过等离子蚀刻工艺去除光刻胶涂层（⇒ 等离子剥离）。
