光刻胶

光致抗蚀剂、液态或固态膜在曝光后首选用 紫外光 进行显影。 正性光刻胶 会通过曝光进行最大程度的去润湿或化学改变(酸性变化),以使被曝光的位置可通过特殊的显影剂(氯化烃、稀氢氧化钠溶液或碳酸钠、热水等)被析取。在 负性光刻胶 中,此过程是相反的,曝光位置会更强烈的进行互相结合。根据具体厚度和化学性质,可区分为抗电镀剂或抗蚀刻剂。
在对精细结构进行 等离子蚀刻 时,被光刻胶覆盖的区域不会被蚀刻。光刻胶本身可通过等离子蚀刻工艺流程去除。

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