Masque de gravure

Si un substrat ne doit être gravé que localement, les zones restantes doivent être recouvertes d'un masque. Le masque même ne devrait pas être attaqué par le processus de gravure. Pour la gravure de structures, donner la préférence aux méthodes d'attaque anisotropes (⇒ gravure ionique, ⇒ RIE), qui donnent une reproduction nette du masque de gravure. Des méthodes de gravure isotropes (gravure chimique humide, gravure au plasma) aboutissent à une attaque sous-jacente du masque de gravure et n'offrent pas un haut rapport d'aspect. La gravure de pistes conductrices sur circuits imprimés par méthode photolithographique revêt une grande importance. Dans ce cas, le masque de gravure est un masque de photoréserve. Les pistes conductrices sont appliquées sur un circuit imprimé par procédé photolithographique :

1. Le circuit imprimé est tout d'abord revêtu d'une couche conductrice (métallisée).
2. Une couche de photoréserve y est appliquée par dessus toute la surface, des vernis négatifs ou positifs pouvant être utilisés pour cela. Lors du développement, le vernis positif est retirée là où il a été exposé et le vernis négatif reste exactement à l'endroit où il a été exposé.
3. La photoréserve est alors exposée avec la structure des pistes conductrices voulues. Si de la résine positive a été utilisée, les zones où la couche de métal doit être gravée seront exposées et si de la résine négative a été utilisée, l'exposition se fait là où les pistes conductrices doivent se trouver.
4. À l'issue du développement, la couche de photoréserve reste sur les surfaces qui seront celles des pistes conductrices par la suite.
5. Le circuit imprimé est maintenant gravé. La photoréserve n'est pas attaquée ou l'est si peu que la couche de métal sousjacente n'est pas endommagée. Les surfaces métalliques mises à nu après l'enlèvement de la photoréserve sont gravées.
   La gravure se fait soit par voie chimique humide, soit par gravure ionique réactive. Le taux de gravure est plus élevé dans le procédé chimique humide. Cependant, la gravure chimique humide s'effectue de manière isotrope, de sorte que la couche de photoréserve est également gravée de manière sous-jacente, ce qui signifie que la couche métallique de la future piste conductrice est également attaquée par les côtés, en-dessous de la couche de photoréserve. En réglant les paramètres de gravure en conséquence, la gravure au plasma peut s'effectuer de manière isotrope, mais aussi anisotropes (voir ⇒ gravure ionique IE, ⇒ gravure ionique réactive RIE) de sorte que la couche métallique est en fait gravée en tant qu'image nette du masque de photoréserve.
6. Après la gravure des pistes conductrices, la couche de photoréserve même peut être également enlevée par des processus de gravure au plasma (⇒ stripping plasmatique).