光刻

将几何结构通过 掩膜转移至基材上,该掩膜由 光刻胶 组成。光刻胶,既可以是 正性光刻胶也可以是 负性光刻胶 ,将被完整涂覆于待蚀刻基材的表面上,并随后用待蚀刻的几何结构进行曝光。通过随后的显影,使被曝光(正性光刻胶)或未曝光(负性光刻胶)区域溶解,并使基材层在这些区域中露出。对整个表面进行全表面处理时,例如:通过 反应性离子蚀刻 (RIE) ,仅会改变基材露出的区域。

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