光刻
将几何结构通过 掩膜转移至基材上，该掩膜由 光刻胶 组成。光刻胶，既可以是 正性光刻胶也可以是 负性光刻胶 ，将被完整涂覆于待蚀刻基材的表面上，并随后用待蚀刻的几何结构进行曝光。通过随后的显影，使被曝光（正性光刻胶）或未曝光（负性光刻胶）区域溶解，并使基材层在这些区域中露出。对整个表面进行全表面处理时，例如：通过 反应性离子蚀刻 (RIE) ，仅会改变基材露出的区域。
将几何结构通过 掩膜转移至基材上，该掩膜由 光刻胶 组成。光刻胶，既可以是 正性光刻胶也可以是 负性光刻胶 ，将被完整涂覆于待蚀刻基材的表面上，并随后用待蚀刻的几何结构进行曝光。通过随后的显影，使被曝光（正性光刻胶）或未曝光（负性光刻胶）区域溶解，并使基材层在这些区域中露出。对整个表面进行全表面处理时，例如：通过 反应性离子蚀刻 (RIE) ，仅会改变基材露出的区域。
