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Máscara de grabado

Si un sustrato solo debe grabarse en puntos concretos, las zonas restantes deben cubrirse con una máscara. La propia máscara no debe encajar el ataque durante el proceso de grabado. Para el grabado de estructuras, debe optarse especialmente por procedimientos de grabado anisotrópico (⇒ Grabado iónico, ⇒ RIE), que permiten obtener una imagen exacta de la máscara de grabado. Los procedimientos de grabado isotrópico (grabado químico en húmedo, grabado con plasma) provocan grabado bajo máscara y no permiten una relación de aspecto elevada. Reviste gran relevancia el grabado de pistas conductoras en placas de circuito impreso siguiendo un procedimiento fotolitográfico. En este caso, la máscara de grabado es una laca fotosensible. La colocación de pistas conductoras en una placa de circuito impreso suele efectuarse por medios fotolitográficos:

  1. En primer lugar, se cubre toda la placa de circuito impreso con una capa conductora (metalización).
  2. Encima de ella, se aplica una capa de laca fotosensible, también en toda la superficie; pueden emplearse lacas negativas o positivas. En los lugares insolados durante el revelado, se elimina la laca positiva y se conserva la laca negativa.
  3. Ahora, se insola la laca fotosensible con la estructura de las pistas conductoras deseadas. Si se ha utilizado laca positiva, se insolan los lugares en los que deba eliminarse por grabado la capa metálica, mientras que, si se ha empleado laca negativa, se insolan las ubicaciones de las pistas conductoras.
  4. Tras el revelado, la capa de laca fotosensible permanece en las superficies de las futuras pistas conductoras.
  5. En este momento, se graba la placa de circuito impreso. La laca fotosensible recibe un ataque nulo o tan escaso que la capa metálica inferior permanece intacta. En cambio, las superficies metálicas que han quedado descubiertas al retirar la laca fotosensible se eliminan por grabado.
    Puede realizarse un grabado químico en húmedo o un grabado con plasma. La tasa de grabado es mayor en el proceso químico en húmedo. No obstante, el grabado químico en húmedo tiene lugar de modo isotrópico, con lo que se produce un grabado bajo máscara en la cubierta de laca fotosensible, es decir, también se ataca la capa metálica de la futura pista conductora por sus lados, bajo la capa de laca fotosensible. Ajustando los parámetros de grabado de forma adecuada, puede elegirse realizar el grabado con plasma de modo isotrópico o también de modo anisotrópico (ver ⇒ Grabado iónico [IE], ⇒ Grabado iónico reactivo [RIE]), de forma que la capa metálica se elimine por grabado como imagen exacta de la máscara de laca fotosensible.
  6. Una vez terminado el grabado de las pistas conductoras, puede retirarse la propia capa de laca fotosensible mediante procesos de grabado con plasma (⇒ Decapado con plasma).

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