Очистка поверхностей
- Склеивание
- Ламинирование
- Нанесение печати
- Окрашивание
- Приварка
- Пайка
- Гальванизация
- Порошковые покрытия
- PVD, CVD
Причины этих загрязнений могут быть самыми разными:
- Разделители (масла, парафины, силиконы, смазки, углеводороды в целом)
- Отложившиеся смазки, масляный туман, отпечатки пальцев
- Водяная пленка из влаги воздуха
- Слои выветривания и оксидные слои (в том числе разрушение полимеров под действием УФ-излучения)
- Пыль
Классические методы очистки:
- Стирание, отсасывание, продувка
- Смывание растворителями (вода, органические растворители)
- Травление кислотами или щелочами в погружной ванне
Эти методы зачастую не дают желаемого результата:
- При смывании и протирании недостижимы углы, полости и зазоры
- При обработке погружением чистящая жидкость, насыщенная растворенной субстанцией, может оставаться в зазорах и полостях.
Жидкостные химические процессы обладают также следующими значительными недостатками:
- Хранение, транспортировка, обработка и утилизация ядовитых и вредных для здоровья растворителей связаны со значительными расходами.
- Растворители после очистки должны быть удалены, а детали высушены.
- Не все посторонние субстанции удаляются, может потребоваться несколько циклов очистки разными методами.
Очистка поверхностей плазмой
плазменной очистке значительно ниже скорости жидкостных методов. При значительном загрязнении рекомендуется выполнить предварительную обработку жидкостями. Особое преимущество сухой очистки плазмой заключается в полном отказе от жидких химикатов. Очищенные детали сразу готовы к последующей обработке. Кроме того, плазма низкого давления проникает в самые узкие зазоры и выемки. Существуют следующие процессы очистки:
Снятие углеводородов в кислородной плазме
Удаление всех масел, жиров, парафинов, силиконов, разделителей
Снятие оксидных слоев в водородной плазме.
Удаление почти всех субстанций физическим травлением (ионное травление, микропескоструйная обработка) в аргоновой плазме.
Неселективный процесс, удаляющий практически все субстанции, устойчивые к химическому воздействию в водородной и кислородной плазме.
Дополнительную информацию см. в разделе ⇒ Плазменная очистка.
При продолжении обработки плазмой после очистки выполняется активация неполярных поверхностей для обеспечения их смачиваемости.
(⇒ Плазменная активация) Также происходит травление поверхностей деталей даже после приостановки действия плазмы
(⇒ Плазменное травление)
