Ионное травление

благородный газ используется в качестве технологического газа . Благородный газы – атомарные, т.е. в плазме отсутствуют радикалы, а присутствуют только атомы, ионы и электроны. Отсутствуют также химические реакции между благородными газами и молекулами субстрата, т.е. не происходит химический процесс травления. Действие травления основано на том, что отрицательно заряженный субстрат обстреливается положительно заряженными ионами благородного газа. Чтобы субстрат имел отрицательный заряд, его помещают непосредственно на рабочий электрод, а для возбуждения плазмы используется ВЧ-генератор. При высокой частоте в фазе, в которой рабочий электрод имеет положительный заряд, в направлении субстрата ускоряются только легкие и очень быстрые электроны, но в обратном случае это не действует для тяжелых и слишком инертных ионов. Субстрат получает отрицательный заряд, не зависящий от электромагнитного переменного поля. Чтобы субстрат не разряжался, рабочий электрод через конденсатор развязан с генератором . В таком состоянии субстрат, имеющий статический отрицательный электрический заряд, бомбардируется ионами. Обладая высокой кинетической энергией, они выбивают атомы, молекулы и радикалы из субстрата.
Действие травления имеет чисто неизотропный характер в направлении бомбардировки ионами.
Скорость травления незначительна.
В качестве технологического газа преимущественно используется аргон , часто встречающийся в природе (почти 1% атмосферы), соответственно недорогой и обладающий высокой массой. Ударяющиеся о поверхность ионы имеют высокую кинетическую энергию и высокое действие травления. Процесс можно сравнить с пескоструйной обработкой в наномасштабе. По этой причине его называют также микропескоструйной обработкой.