Ионно-плазменное распыление

травление под действием бомбардировки ионами. Существуют плазменные установки, адаптированные под этот процесс. В этой технологии рабочий электрод соединяется с плазменным генератором, но промежуточный конденсатор обеспечивает емкостную развязку. Таким образом, протекание тока между генератором и электродом невозможно. При ионно-плазменном распылении реактор работает преимущественно с высокой частотой 13,56 МГц. При этой высокой частоте легкие электроны следуют электрическому полю, а для тяжелых инертных ионов такая частота слишком высока. Они остаются почти неподвижными и холодными.
Всегда при наличии положительного напряжения на рабочем электроде о него ударяются электроны. Из-за промежуточного конденсатора они не могут стекать, поэтому рабочий электрод постепенно набирает отрицательный заряд. Этот эффект называют автоматическим смещением. Субстрат находится на рабочем электроде и вместе с ним накапливает заряд. Под действием напряжения смещения на переменное ВЧ-поле накладывается поле постоянного напряжения. Под его действием ионы тоже ускоряются в направлении отрицательного рабочего электрода и субстрата. Предпочтительным технологическим газом для ионно-плазменного распыления является аргон. Он не вступает в химическую реакцию, поэтому травление носит чисто физический характер. Ионы с ускорением ударяются о субстрат и выбивают из поверхности атомы, молекулы и радикалы – практически вне зависимости от свойств самого субстрата. Этот процесс травления называют физическим травлением, ионным травлением и микропескоструйной обработкой, т.к. действие соответствует пескоструйной обработке на атомарном уровне. Ионно-плазменное распыление позволяет очищать поверхности от любых субстанций, не удаляемых другим способом, кроме плазменной очистки. Кроме того, происходит увеличение площади поверхностей, это ведет к улучшению адгезии.

Методом ионно-плазменного распыления можно также наносить на субстраты покрытия посредством физического осаждения из газовой фазы (Physikal Vapour Deposition PVD).

На рабочем электроде находится мишень из материала, которым должно наноситься покрытие.

Атомы и молекулы, выбиваемые из мишени, попадают на субстрат и оседают на нем.