CVD设备 ——用于您的硅烷化工艺

硅烷化设备及配套等离子体工艺,厂家直供

开始查询

硅烷化过程(自组装单分子层硅烷)

硅烷化工艺是一种利用硅烷化合物(如烷氧基、氨基、环氧或氟硅烷)进行的表面处理工艺。 通过硅烷化进行的表面改性是指在表面上涂覆或化学键合一层薄薄的硅烷层的过程。 硅烷是一类含硅的有机化合物,能赋予表面多种优点,如增强表面与涂层之间的附着力、提高耐腐蚀性或提供疏水性能。 因此,该方法特别适用于作为预处理步骤,例如后续的涂层工艺。

您的优势

低压和常压等离子处理是应对润湿、密封、发泡、粘接和喷漆等难题的高超解决方案。

我們的解決方案 您的選擇

Diener electronic 在等離子製程的開發方面擁有多年的成熟經驗,並在此應用領域獲得了深入的知識。從清洗和活化的標準製程衍生出來,Diener electronic 開發了矽烷化製程,將薄薄的矽烷層化學粘合到表面。除 CVD 製程外,此技術在各行各業都具有優勢,例如汽車業可改善耐腐蝕性、醫療業可達到最佳附著力,或半導體/電機工程業可提供保護和絕緣。

改善薄膜電晶體的附著力

矽烷偶合剂用途广泛,可用于各种材料的表面处理。如果在塑膠或玻璃表面塗上矽烷,表面就會經過改良,使其能與有機材料產生更好的互動。例如,這可改善有機電子元件(如有機電晶體)的附著力。這對性能有正面的影響。有機薄膜電晶體 (OTFT) 是由有機半導體材料組成的電子元件,可用於控制電流。硅烷化通常用於改善有機半導體層與基板的附著力。這會對基板表面進行化學改質,使有機層更光滑,從而改善元件的電子性能。氣相沉積也可用於製造高純度和均勻的材料層,在 OTFT 的結構中充當電氣絕緣體或導體。

降低表面附著力

但不僅僅是改善附著力,還可以透過矽烷塗層實現降低表面附著力,例如 MEMS。
微小的機械零件可受益於低表面能量的表面,例如透過矽烷塗層,可預先降低范德瓦耳斯力、毛細管力或靜電力。這可以防止可能出現的阻塞或不必要的附著。

立即詢問

Plasmaanlage, Plasmareiniger für Labor und Produktion, Nano

使用電漿清洗晶圓

在许多情况下,有必要在涂覆浆料之前对载体薄膜进行等离子清洗活化。原则上,薄膜的材料(铜、铝、PEEK 等)并不重要,既可以在卷对卷低压等离子系统中进行预处理,也可以使用旋转式常压等离子喷嘴(PlasmaBeam RT)进行在线预处理。
在对载体薄膜进行涂层干燥以及随后的压延之后,必须再次对其进行清洗和活化。这样才能确保电池性能稳定 无颗粒超细清洁对分离箔(分离片)和接触的质量要求也很高。因此,就工艺可靠性、环保性和成本效益而言,使用等离子技术是理想的预处理步骤。

使用氫電漿活化

随后的模块生产要求在许多生产步骤中对各个组件进行高度活化。例如,成品电池必须具有最佳的表面特性,以便进行可靠的接合或封装。同样,用于电池片电气连接(接线)的触点(插针)也必须绝对无尘无油。因此,为了生产出高质量的电池模块,我们并不推荐使用等离子设备进行表面活化/清洁,而是认为这是必要的。常压等离子系统(PlasmaBeam)和低压等离子系统都适用于这种预处理。与常压系统相比,低压等离子系统具有决定性的优势。例如,用真空等离子体去除铜或镍表面的氧化层简直是小菜一碟,在许多工业领域已成为标准工艺。相比之下,常压系统很难达到这样的效果。

使用水蒸氣活化

使用飽和水蒸氣活化的方式與使用氫氣活化的方式類似。與氫相反,此製程對表面特別溫和。離子化的水蒸氣會被導入表面,並能滲透表面的微觀結構,從矽氧化物中釋放出來。此步驟可使表面變得乾淨且活性高。非常適合後續鍍膜製程,例如 CVD 製程。

蒸發矽烷

化學氣相沉積(簡稱 CVD)是矽烷汽化最著名的應用之一。矽烷在真空下氣化,以氣體形式施加到表面,形成一層薄薄的矽。矽因此可以達到各種效果。這些效果包括 改變半導體特性、電路間的絕緣與保護。化學氣相沉積提供了最佳的條件,因為它可以控制矽層的施用、氣相外延等,並能以特別均勻和保形的方式施用。

矽烷化合物的劑量對於製程來說是決定性的,因為它決定了矽烷化合物的品質和效率。正確集中適當的矽烷類型、考慮環境影響(如溫度和濕度)並正確設定反應時間是非常重要的。通過軟件進行操作有助於實現這一目標,並可精確設置參數。Diener electronic 很樂意為您提供如何優化製程的建議。

立即詢問

+49 7458 99931-0

与我们的专家通话

info@plasma.com

请写下您的需求

索取报价

您清楚地知道您想要什么