Impiantazione ionica

L’impiantazione ionica è un processo che permette di immettere atomi estranei in un materiale di base per modificare le proprietà del materiale. Viene utilizzato principalmente per il drogaggio di semiconduttori con atomi estranei. Gli atomi estranei sono denominati dotanti e a loro volta si distinguono in donatori, che rilasciano elettroni nel reticolo cristallino, e accettori, che assorbono elettroni.
Nell'impiantazione ionica, gli atomi estranei vengono ionizzati, accelerati nel campo elettrico e "proiettati" nel substrato, solitamente di silicio. Dotanti tipici sono: boro, fosforo, arsenico, indio, germanio, ossigeno, azoto, carbonio. Questi atomi estranei occupano posizioni a reticolo nel cristallo invece degli atomi del materiale di base.

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