Фоторезист

УФ-излучением , поддается проявке. Позитивные фоторезисты в процессе экспонирования изменяются химически (изменение кислотного характера) настолько, что проэкспонированные участки можно удалить растворением специальными проявителями (хлорированные углеводороды, разбавленный натриевый щелок или содовый раствор, теплая вода и т.п.). У негативных резистов происходит обратный процесс – проэкспонированные участки сшиваются сильнее. В зависимости от толщины и химических свойств различают гальванические и травильные резисты.
При травлении тонких структур закрытые фоторезистом участки не протравливаются. Сами фоторезисты можно удалять плазменным травлением .