PACVD (PECVD)

En el procedimiento de deposición química de vapor (Chemical Vapour Deposition, CVD), se forma una capa sólida sobre la superficie de un sustrato debido a que las moléculas gaseosas reaccionan ante el calor del sustrato. En la deposición química de vapor asistida por plasma (Plasma Assisted CVD, PACVD), a partir de las moléculas del gas del proceso, se generan por radiación UV radicales que reaccionan en la superficie incluso sin influencia de la temperatura.
Por ello, a diferencia de la CVD, el procedimiento PACVD puede emplearse en sustratos con resistencia térmica reducida. En lugar de PACVD, puede utilizarse también el término PECVD (Plasma Enhanced CVD, deposición química de vapor mejorada por plasma).