Grabado en seco

Los procedimientos de grabado clásicos se basan en la extracción de material de las superficies mediante líquidos (medios de grabado, iniciadores) que atacan dicho material de superficie (sustrato). En función del sustrato, se trata de disolventes, álcalis o ácidos. Estos métodos de grabado se denominan procedimientos de grabado químico en húmedo. La mayoría de los sustratos solamente pueden grabarse con medios muy peligrosos para el medio ambiente y nocivos para la salud. Los procesos de grabado en el plasma de baja presión se efectúan sin química en húmedo. Por este motivo, dichos procesos en plasma se denominan grabado en seco. En principio, el grabado en seco permite tratar cualquier sustrato imaginable. El término grabado en seco engloba los siguientes procedimientos de grabado:

• "Grabado con plasma" ("Chemical Dry Etching", "grabado químico en seco", "grabado isotrópico en seco")
• Grabado iónico ("grabado por sputtering", "microchorros de arena", "grabado físico")
• Grabado iónico reactivo ("Reactive Ion Etching", "RIE")

Así, el término "grabado en seco" comprende todos los procesos de grabado posibles por efecto del plasma, mientras que el término "grabado con plasma" solamente se utiliza para designar el grabado obtenido por la acción química de los gases de proceso. Es posible que se produzcan confusiones. Por ello, resulta más conveniente abandonar el término "grabado con plasma" en favor de las expresiones "grabado químico en seco" o "Chemical Dry Etching".