Сверхтонкая очистка

плазменных процессов для удаления крупных загрязнений не особенно эффективно, т.к. скорость съема материалов плазмой не очень высока. Для предварительной очистки целесообразно применять механические и мокрые химические технологии очистки. Решающее преимущество плазменной очистки заключается в возможности удаления мельчайших загрязнений даже в трудно доступных местах. При очистке в кислородной плазме удаляются даже самые небольшие остатки углеводородов (масел, смазок, парафинов, разделителей), а при перетравливании может происходить незначительное поверхностное травление верхних атомарных слоев, что положительно влияет на силу сцепления нанесенной печати, краски и клеевых соединений. Сказанное выше относится и к микромеханической сверхтонкой очистке микропескоструйной обработкой.