Procedimiento de deposición física de vapor (PVD)

Este procedimiento se lleva a cabo fundamentalmente en el plasma de argón. En el procedimiento PVD (Physical Vapour Deposition = deposición física de vapor) asistido por tecnología del plasma, el material que se somete a deposición de vapor se coloca en el electrodo de trabajo del reactor en forma de muestra sólida. Si dicho electrodo de trabajo cuenta con separación capacitiva respecto al generador de tensión, se va cargando por acción del bombardeo de electrones. Los iones de argón se aceleran debido al electrodo negativo e impactan sobre el blanco. Esto provoca el desprendimiento de átomos de dicha superficie, que se llevan a la fase gaseosa. Procedimiento de deposición física de vapor. A diferencia del procedimiento de deposición química de vapor (Chemical Vapour Deposition, CVD), en la deposición física de vapor, no se produce ninguna reacción química. Se utiliza a menudo para deponer vapor en metales con capas duras. El material que se somete a deposición de vapor suele vaporizarse por medios térmicos. Además, dicho material puede llevarse a la fase gaseosa mediante sputtering en el plasma de baja presión. En este proceso, el blanco o "target" (el material que se somete a deposición de vapor) recibe bombardeo de iones, que provoca el desprendimiento de átomos del objetivo.

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